氮化镓(GaN)器件凭借着优越的电学特性在高频、高功率应用中有着广阔的前景，但随着软开关技术的应用和频率的进一步提高，GaN器件的逆导损耗和输出电容损耗占比增大，制约着GaN器件进一步高频化应用场景中的效率。本文从耗尽型GaN HEMT器件的静态电学特性出发，表征研究了不同偏压和开关条件下对逆导损耗和输出电容损耗的影响。并基于LLC电源，分析了耗尽型GaN HEMT的逆导损耗和输出电容损耗在电源效率的影响，在实际应用条件下的损耗结果表明，在现阶段使用的功率和频率等级的LLC电源，逆导损耗和输出电容损耗虽然会随着频率的上升有着明显的上升趋势，但所带来的影响仍处于可控阶段。