在高温、高压和高频的电力电子应用中，碳化硅（SiC）MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性，本文提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数，在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性，仿真结果与实测数据的吻合度比现有的模型得到了进一步的提高。