近年来，宽禁带器件技术发展迅速，其在各种电力电子设备中的使用率也越来越高。其中，SiC MOSFET具有耐高温、耐高压、快速开关等优势，因此已经广泛应用于各种拓扑中。但较高的开关频率、多种多样的驱动干扰因素使得SiC MOSFET的驱动模块需要更高的品质。为更好的使用SiC MOSFET，确保其在电路中可以稳定开关，对于SiC MOSFET驱动设计方法的研究必不可少。此文章阐述归纳了SiC MOSFET驱动受到的干扰种类及抑制方法。首先介绍了SiC MOSFET器件驱动的基本现状和基本条件。然后说明了在不同驱动条件下驱动受到的干扰种类不同，它们产生的影响也有区别。最后，总结了抑制干扰的方法并进行比较。