通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160～200℃温度下进行测试，提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势，以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法，对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的阈值电压的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因，是栅极SiO2/SiC界面存在的陷阱密度在逐代地下降。通过TCAD仿真拟合转移特性随温度的变化，验证了新产品的界面态密度的降低，同时佐证了SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。