碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点，是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试，实验结果表明，在相同的驱动条件和负载条件下，碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET；在12V驱动电平条件下，直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升；采用20V栅极驱动电平，效果更加明显。