作为一种宽禁带半导体器件，SiC MOSFET相比较于相同电压与电流等级的Si器件，拥有更低的导通损耗和更快的开关速度。本文首先分析对比了SiC MOSFET器件相比于Si IGBT器件的不同特性，总结了SiC MOSFET器件对驱动电路的基本要求。其次，详细阐述了在驱动电路中针对SiC MOSFET特性设计的串扰抑制、过流保护以及栅极电压保护等电路功能。最后，通过搭建双脉冲测试平台和Buck电路测试平台，对驱动电路的设计进行测试与验证。