碳化硅金属氧化物半导体场效应管SiC MOSFET（silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor）以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和高效率器件，而结温是其设计和工作的一个重要参数，也是健康状态的重要指标。为了状态监控的需求，提出一种受自热影响较少的基于准阈值电压的结温提取方法。首先，从理论层面证实了阈值电压VTH与温度有良好的线性关系，具有负的温度敏感度。然后，实验观察了外部驱动电阻RGext对VTH的影响。最后，结合智能驱动提出了获取准阈值电压的电路，实验结果证实了所提方法的可行性。