门极可关断（GTO）晶闸管是应用在脉冲功率器件领域中的一种重要的功率器件。本文报道了一款基于自主设计并流片制造出尺寸为6 mm×6 mm的4 kV碳化硅（silicon carbide，SiC）门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，GTO）；借助Silvaco TCAD仿真研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性和脉冲放电特性，得出了其正向导通压降为4.48 V，正向阻断电压为4 kV，脉冲峰值电流Ipeak为1700 A，器件的di/dt为6.9 kA/μs。流片制造后进行封装测试，得出了其正向导通压降为4.5 V，正向阻断电压为4.5 kV，脉冲峰值电流Ipeak为1161 A，器件的di/dt为13.7 kA/μs。器件的本征dv/dt抗扰度大于124.8 kV/μs，当Rload=5 Ω时，器件的外部dv/dt抗扰度为115.8 kV/μs。