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会员 从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步
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  • 作者:
    陈永真  , 陈之勃  
  • 页数:
    14
  • 页码:
    939 - 952
  • 资源:
  • 文件大小:
    1.85M
摘要
对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步,极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极—发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅—源极阈值电压的离散性在缩小,栅—源极阈值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高。
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