本文建立了分立SiC Cascode JFETs器件的失效模型。研究了单管SiC JFET和分立SiC Cascode JFFETs器件的短路耐受时间。同时，更深层分析了SiC Cascode JFETs的失效过程，利用了与温度和电场强度相关的沟道载流子迁移率模型，体现出了器件失效时温度和电场强度对它的影响。利用半导体器件的计算机模拟（Technology Computer Aided Design，TCAD）验证了相同条件下SiC Cascode JFETs硬开关失效的实验结果。所建立的失效模型能够比较好的拟合实验结果。