双芯门极换流晶闸管（the dual gate commutated thyristor, Dual GCT）是在传统的集成门极换流晶闸管（the integrated gate commutated thyristor, IGCT）基础上提出的，能更好地解决器件通态损耗与开关损耗之间的矛盾。作为高压双极型器件，Dual GCT关断过程中的安全工作区（the safe operation area, SOA）必然受到动态雪崩效应的影响。本文基于多单元集成的器件仿真结构模型，对Dual GCT的关断特性与动态雪崩效应进行了研究。结果表明，在较短的关断延迟时间下，雪崩诱发的电流丝会在GCT-A中触发，且电流丝强度较强、存在时间也较长，从而降低器件的鲁棒性；而在较长的关断延迟时间下，电流丝会在GCT-B中触发，所以关断延迟时间应被控制在20 μs左右。当电流丝在Dual GCT某部分触发后，会大大增加此部分的关断功耗。除此之外，载流子寿命控制也会影响器件功耗与电流丝的触发位置，GCT-B的寿命被建议控制在0.7~0.8 μs的范围内。