提出了一种共栅共源结构高压氮化镓（GaN）器件关断过程及损耗模型。考虑了寄生电感和寄生电容参数，保证了所提出模型的精确性。将关断过程分为几个阶段来分析，通过精确的电路等效和分析，给出了不同阶段的电压电流表达式，进而计算出损耗。不同驱动电阻和电流下的实验结果证明了所提出模型的准确性。