在变换器中应用以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件能够显著提升变换器的效率和功率密度，但同时带来半导体成本的大幅提升。基于碳化硅和硅分立器件的混合多电平技术在不显著提升半导体成本的情况下能够实现与全碳化硅设计相近的性能，是一种兼顾成本与性能的优化设计。然而，目前针对混合多电平变换器的研究大多基于三电平结构。本文提出了一种高频单元采用T型拓扑的碳化硅和硅器件混合型四电平变换器拓扑，低频单元使用低成本的硅器件，能够保持相对较低的成本。同时，本文提出了一种所有的高频开关动作都由碳化硅器件承担的混频调制策略，并且能够兼容对母线电容电压的主动控制。最后，通过实验验证了所提出的电路拓扑与调制策略的有效性。