本文主要研究了SiC MOSFET器件和Si IGBT器件的混合并联，在对比器件开关特性的基础上，提出了混合并联器件的优化开关模式，并进行了混合并联器件的稳态建模和非理想开关过程分析。利用双脉冲测试，对混合并联器件的开关特性进行了实验验证。实验结果表明，采用优化的混合并联器件能够实现SiC MOSFET的扩容 、降低Si IGBT的开关损耗。