欢迎来到中国电源学会电子资源平台
会员 SiC IGBT静态特性研究
  • 13
  • 0
  • 0
  • 0
  • 作者:
    马丽  , 周沛  , 李旖晨  , 王云飞  
  • 页数:
    5
  • 页码:
    2020 - 2024
  • 资源:
  • 文件大小:
    0.55M
摘要
在功率IGBT中用碳化硅材料代替传统的硅材料,可极大提高IGBT的性能,充分发挥材料在器件上的优越性能。碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)既具有SiC材料的优点,又具有IGBT易于驱动、控制简单、导通压降低、导通电流大和器件损耗小等优点,具有广阔的发展前景。 本文将SiC材料与IGBT器件相结合,选取了SiC IGBT仿真的一些物理模型及参数进行了仿真和分析。同时对相同结构参数的SiC IGBT与Si IGBT的特性进行了对比分析,较深入地研究了材料参数对器件的静态特性的影响。同时还分别仿真并分析了平面栅和沟槽栅的SiC IGBT结构,对这两种栅结构的静态特性进行了对比分析。本文重点模拟分析了平面栅结构中不同漂移区厚度、掺杂浓度对SiC IGBT静态特性的影响。
  • 若对本资源有异议或需修改,请通过“提交意见”功能联系我们,平台将及时处理!
来源
关键词
相关推荐
可试看前3页,请 登录 后进行更多操作
试看已结束,会员免费看完整版,请 登录会员账户 或申请成为中国电源学会会员.
关闭
温馨提示
确认退出登录吗?
温馨提示
温馨提示
温馨提示
确定点赞该资源吗?
温馨提示
确定取消该资源点赞吗?
温馨提示
确定收藏该资源吗?
温馨提示
确定取消该资源收藏吗?
温馨提示
确定加入购物车吗?
温馨提示
确定加入购物车吗?
温馨提示
确定移出购物车吗?