在功率IGBT中用碳化硅材料代替传统的硅材料，可极大提高IGBT的性能，充分发挥材料在器件上的优越性能。碳化硅绝缘栅双极型晶体管（SiC IGBT）既具有SiC材料的优点，又具有IGBT易于驱动、控制简单、导通压降低、导通电流大和器件损耗小等优点，具有广阔的发展前景。 本文将SiC材料与IGBT器件相结合，选取了SiC IGBT仿真的一些物理模型及参数进行了仿真和分析。同时对相同结构参数的SiC IGBT与Si IGBT的特性进行了对比分析，较深入地研究了材料参数对器件的静态特性的影响。同时还分别仿真并分析了平面栅和沟槽栅的SiC IGBT结构，对这两种栅结构的静态特性进行了对比分析。本文重点模拟分析了平面栅结构中不同漂移区厚度、掺杂浓度对SiC IGBT静态特性的影响。