碳化硅SiC（silicon carbide）器件具备耐高压、低损耗和高热导率等优势，对电动汽车行业发展具有重要意义。提出一种利用大芯片封装的SiC MOSFET功率模块设计，并开展实验分析模块的电气性能；搭建仿真对仅有电特性与电特性和温度负反馈结合这2种情况下模块温度进行对比研究。仿真结果表明，在相同工作条件下，采用大芯片封装设计的SiC MOSFET功率模块导通电流能力更强，温度变化更小，电气性能有所提升。