本文提出了一种具有低反向恢复损耗Err的逆导型IGBT结构。本文采用将RC-IGBT中的FS-IGBT区域与续流二极管FWD区域分开设计的思路，同时又将确保集成于一块芯片的IGBT与FWD的制造工艺完全兼容。其中，FWD区域的设计成ESD型二极管（Emitter Shorted Diode）结构。通过借助于TCAD仿真工具，探究了新型RC-IGBT的电特性。仿真结果表明，相比于常规RC-IGBT，新型RC-IGBT的反向恢复损耗Err可减少约一半。