压接式电子注入增强型门极晶体管PP-IEGT（press pack-injection enhanced gate transistor）封装内采用多芯片并联结构，芯片间的布局对器件温升与稳定性有着重要影响。在现有的对齐阵列布局下，芯片间严重的热耦合效应会导致器件结温较高，因此提出一种交错阵列的圆形布局。基于有限元热稳态仿真分析，对比了2种布局下的芯片温度分布，以及封装内各层组件的温度差异；同时，考虑不同功率损耗和外部散热条件的影响，对2种布局下各层组件温度变化进行了讨论。结果表明，提出的交错阵列布局可有效改善热耦合效应，芯片上的热量得到更好地耗散。此外，各芯片和器件整体的温度分布均匀性得到了提高，为更大电流参数PP-IEGT的芯片布局设计和稳定工作提供了参考。