节能降耗在通信电源领域中越来越重要，高效率和高功率密度成为推动电力电子技术发展的主要动力。氮化镓（GaN HEMT）器件凭借其导通电阻低、寄生电容小、无反向恢复等优势，工作于高开关频率时仍可保持较高的效率。提高开关频率是减小在变换器中占较大体积的磁性元件尺寸的有效方法。有源箝位正激变换器（Active Clamp Forward Converter，ACF）其变压器工作于第一、三象限，磁芯利用率高；同时不存在50%占空比的限制，原边开关管电压应力低，适用于宽范围电压输入；箝位P-MOS可实现零电压开通（Zero Voltage Switching，ZVS），有效减小开关损耗，因此其被广泛应用于中小功率通信电源中。本文采用GaN HEMT作为原边主开关管，同时结合同步整流技术，研制了一台18~36 V输入、120 W/12 V输出的有源箝位正激变换器原理样机，整机功率密度达2.2 W/cm³，峰值效率达95.45%。实验结果验证了设计方案的可行性和先进性。