本文分析了导通电阻和寄生参数对N个并联分立式碳化硅(SiC)MOSFET静态均流的影响。首先定量分析了由于MOSFET导通电阻具有正温度系数而产生的自平衡效应的局限性。通过统计分析，给出了导通电阻离散分布所对应的均流分布，有助于根据均流要求筛选合适的器件。此外，提出了一种通用电路模型，用于分析不可避免的电路寄生参数在给定电流变化率下的均流影响。利用递归电路模型，可以分别计算寄生电阻和电感引起的电流不平衡，可用于指导硬件设计以改善实际变流器中的均流性能。理论分析通过实验结果得到验证。