和传统的硅器件相比，SiC MOSFET具有导通电阻小、耐压高、耐高温、开关速度快等优点。但是，随着开关频率提高，开通损耗占据了器件损耗的大部分，限制了SiC MOSFET在更高工作频率下的应用。本文基于开通损耗的形成原因，提出了一种基于非开尔文结构SiC MOSFET的SRD（Resistor and Diodes in Series）型驱动电路，该驱动通过抑制低门极开通电阻下栅极电压振荡和功率回路振荡，实现更快的开通速度，从而降低SiC MOSFET的开通损耗。本文详细分析了SRD型驱动电路的工作原理，并搭建了双脉冲平台，与传统驱动电路进行了对比实验，实验结果验证了该新型驱动电路的有效性。