本文给出了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。分析了SiC MOSFET压接式封装实现中的难点，并提出了能满足SiC MOSFET特殊需求的解决方案。为实现SiC MOSFET的压力接触，使用了小尺寸的弹性压针“fuzz button”进行芯片上表面的连接。另外，压接式器件内部没有提供芯片与基板间的电气绝缘，因此散热器也包含在导通电流的回路中。为避免由散热器厚度引起的回路寄生电感增大，研究了一种较薄且具有足够散热效率的微通道散热器。 本文介绍了压接式SiC MOSFET的结构和工艺流程。制作了压接式SiC MOSFET和微通道散热器样品，并组成半桥堆叠结构。通过仿真和实验评估了样品的电、热特性，验证了所提出封装方案的可行性。