对碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，SiC MOSFET）结温监测并保护可以延长器件的使用寿命。本文通过栅极内阻对 SiC MOSFET 的结温进行计算，分析了 SiC MOSFET 的栅极内阻受结温影响的机理，通过谐振法测量栅极内阻的大小。本文首先分析了 SiC MOSFET 栅极驱动回路的构成，采用基于串联谐振法来测量栅极内阻的大小，通过公式推导了栅极内阻的计算公式；其次，设计了栅极内阻采集电路，并搭建了 SiC MOSFET 栅极内阻测试平台进行验证。实验结果表明，外加电感的大小对于栅极内阻计算结果影响较小。有 87.5% 的数据计算栅极内阻绝对误差小于 60 mΩ，72.1% 的误差小于 30 mΩ。通过栅极内阻计算得到的结温值，有 92.3% 的数据误差在 5 ℃之内，64.4% 的数据误差在 3 ℃之内。