SiC MOSFET相对于硅基MOSFET具备更高的开关速度、更低的开关损耗以及更低的导通损耗，因而广泛用于高端的电力电子变换器应用中。然而由于SiC MOSFET更低的开启阈值电压和更快速的开关过程，导致其在桥式拓扑的应用中的串扰问题更加严重。本文提出了一种能够抑制正负串扰的多电平驱动电路，通过关断时期多电平的策略达到对正负压串扰的抑制。本文分析了串扰的起因和影响因素，同时给出了多种因素下串扰大小的仿真结果，最后将本文提出的多电平驱动电路和传统驱动电路进行仿真对比，验证了该电路在抑制串扰上的有效性。