采用SiC MOSFET代替Si IGBT可以显著提高许多变流器的性能。然而，完全基于SiC MOSFET的模块化多电平变换器（Modular multilevel converter, MMC）在高功率应用中存在成本高、导通损耗大的问题。为了解决这些问题，本文提出了一种SiC MOSFET和Si IGBT混合型MMC。在新的拓扑结构中，每个臂只有一个全桥子模块（Submodule, SM）使用SiC MOSFET，而其他半桥子模块使用Si IGBT。同时，本文针对该拓扑提出了一种改进型调制方案，将大部分的开关动作从Si IGBT SM转移到SiC SM。整套方案充分利用了SiC MOSFET和Si IGBT的优点，降低了MMC的总损耗和成本。最后，实验结果验证了该拓扑和调制方案的可行性，进一步的损耗分析验证了该混合多载波调制方案的优越性。