首先分析了LLC谐振变换器的工作原理，并详细分析了增强型氮化镓（eGaN）器件在LLC谐振变换器中的开关过程。结果表明：通过调节死区时间可避免eGaN晶体管的反向导通；减小高频功率回路电感可降低功率回路振荡。然后对死区时间和功率回路布局进行了优化，并仔细优化了驱动回路布局，以确保GaN晶体管的安全，因为eGaN晶体管栅源电压的安全裕量非常小。最后搭建了一台1MHz、100W、48V/12V的LLC实验样机来验证所提设计。实验结果表明：当高频功率回路电感从5.6nH减小到0.4nH时，晶体管漏源电压过冲从15%降低到6.79%；此外，当驱动回路采用单层带屏蔽层布局时，晶体管栅源电压几乎无振荡。