碳化硅SiC（silicon carbide）器件被认为是一种良好的耐高温半导体器件，高功率密度和高温应用需要更深入地研究损耗和散热问题。研究了SiC MOSFET功率模块在高温下的最大电流导通能力，考虑了电气性能和散热的相互关系。在建立SiC MOSFET器件的热电耦合模型配合系统散热模型的基础上，分析了热失控过程的机理。通过热电联合仿真确定了一款SiC功率模块高温下的电流容量，与实验结果相比误差约为4%，验证了所提方法的有效性。