宽禁带SiC功率器件作为新的电力电子器件，具有优良的电热特性，能够有效提升隔离双向DC-DC变换器的性能指标。本文分析对比了SiC MOSFET和Si IGBT在双向双有源桥（Dual active bridge, DAB）变换器中的功率损耗和效率特性。本文基于DAB电路拓扑，进行了功率损耗分析，并搭建了DAB变换器实验样机，对比了不同带载情况下应用SiC MOSFET和Si IGBT的DAB的理论效率和实测效率，为样机的优化设计提供参考。