与传统的Si MOSFET相比，SiC MOSFET具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点。在对变换器效率、功率密度等有更高要求的电力电子系统中，SiC功率器件成为较佳的选择。将SiC器件引入到交错并联Boost功率因数校正（PFC）电路，分析了临界导通模式（BCM）模式下电路的工作特性，并给出了主电路元器件的设计方法；搭建了以UCC28061为控制芯片的实验电路与测试平台。测试结果表明，SiC MOSFET作为开关管可工作在较高的频率，基于全SiC器件的PFC达到了功率因数校正的目的，并且具有电流纹波较小、系统损耗低等优点。