为了进一步提升电能转换效率，介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT，gallium nitride high electron mobility transistor）的共栅共源级联（cascode）结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面，通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA，在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1500 pF、32 pF和12 pF，动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240～320 kHz、满载功率1 kW的无线电能传输样机，在200～1000 W负载范围内效率明显高于Si器件，最高效率超过95%。