由于变流器杂散参数的影响，在IGBT关断的瞬态过程中，其CE端会产生电压尖峰，造成较大的电磁干扰，甚至导致IGBT损坏。为了定量分析该电压尖峰以设计缓冲电路，需准确测量变流器杂散参数。本文提出了两种优化的基于IGBT开关过程的大功率变流器杂散参数分析方法：方法一在考虑了IGBT体内二极管反向恢复的情况下，分析了IGBT开通和关断瞬态曲线，并通过线性回归方法计算杂散参数；方法二通过在直流母线端并联吸收电容，将IGBT开通和关断过程等效为LC谐振电路，通过测量开关过程谐振参数来计算变流器的杂散参数。最后，通过双脉冲测试方法对西门康SKM400GAL176D开关器件的开通和关断过程进行测试，分别利用前述两种方法计算出母排杂散电感，并分别与仿真软件提取结果、E4980A阻抗分析仪测试结果进行对比，从而验证了本方法的准确性与实用性。