为研究SiC MOSFET在电子辐照环境中的长期可靠性，本论文结合高温栅偏和电子辐照两种实验对SiC MOSFET阈值电压进行了研究。讨论了栅氧化物受到高温和强电场应力后，电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。在TCAD软件中建立了SiC MOSFET基础数值模型，设置SiC/SiO2界面态模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响，结果表明两者对阈值电压影响相反。实验中为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响，实验室自制了所需样品。实验结果表明高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感，且0.2 MeV、300 kGy电子辐照可将39 V、150 ℃、2 h高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。