本文针对3.3kV快速软恢复二极管（FSRD）提出了一种具有波状p型电阻区的场限环（FLR）终端结构，并利用ISE-TCAD软件分析了该终端结构的耐压机理及特性。结果表明，该结构的终端击穿电压达到了体击穿电压的94%，比普通FLR终端结构的击穿电压高了3.1%；反向恢复期间缓解了终端区的电流集中，提高了器件的可靠性，并且工艺较为简单，为器件的制作提供了较大的自由度。