氮化镓高电子迁移率晶体管（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor，GaN HEMT）的外围印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）版图设计对功率转换系统的安全高效运行至关重要。本文分析了半桥式功率转换系统中各个寄生参数的影响，给出各寄生参数的成因与优化方法，提出一种嵌入电容两面式的功率回路设计方案以及一种低寄生电感的驱动回路设计方法。相较于现有方案，优化设计方案降低了约99%的功率回路寄生电容、65%的驱动回路寄生电感以及95%的共源电感。最后，通过双脉冲实验，证明本文提出的PCB版图设计方法的优越性。