以4H-SiC制作的新型功率器件SiC二极管芯片为基体，选用与4H-SiC材料相容性良好的镍金属制备了金属化底层。研究了不同合金温度的Ni与4H-SiC形成的组织结构、性能和对可靠性的影响。通过试验和验证分析确定了实现4H-SiC芯片背面欧姆接触的退火条件，使芯片表面NiSi层形成良好的欧姆接触，同时以便于多层金属化体系制备。通过理论分析和借鉴Si基材料经验，提出4H-SiC芯片的多层金属体系设计。确定了4H-SiC芯片的多层金属体系制造工艺流程。