摘要：本文通过单脉冲非钳位感性开关（UIS）测试对1200V平面型和双沟槽型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态雪崩鲁棒性进行了对比评估分析。研究表明，平面型SiC MOSFET具有较好的动态雪崩能力，其可承受的雪崩能量密度达到15.6 J/cm²，而双沟槽型SiC MOSFET仅为6.7 J/cm²。此外，两种器件不同失效波形表明两者具有不同的UIS失效机制。通过对UIS测试后的平面型和双沟槽型SiC MOSFET晶体管静态电学参数的监测以及失效后三端阻抗的测量，发现平面型SiC MOSFET静态电学参数在雪崩失效前没有明显变化，而器件雪崩失效后的三端阻抗极低，符合热失效模式。而双沟槽型SiC MOSFET晶体管在低的雪崩能量下栅极漏电流显著上升，器件失效后的栅漏间阻抗极低，表明器件失效模式是电应力导致的栅氧化层损坏。