本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关，开关由0.6mm厚的半绝缘GaAs材料制作，电极间隙为10mm，开关电极面制作高反膜，背面制作增透膜，使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关，在直流电压6kV时，通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω。为了增大单只光导开关导通电流，设计了一种叉指状电极结构的光导开关，指状电极间隙2mm，在工作电压2kV时，导通电阻为0.35Ω。