碳化硅MOSFET作为新兴的宽禁带半导体器件，因其卓越的性能为电力电子设备提供了高频、高效率和高功率密度的优势。开关损耗作为研究器件开关性能的一个重要因素，对其准确的计算具有重要的意义。本文首先分别分析了碳化硅MOSFET开通过程和关断过程，将其细分为十个阶段并得到每个阶段开关损耗的计算方法。然后通过仿真和实验得到相应的开关损耗值。最后将所提出的计算方法算得的损耗值与仿真和实验进行对比，验证了损耗计算方法的准确性。