碳化硅（SiC，silicon carbide）功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET，metal oxide semiconductor field effect transistor）是最重要的器件。3 300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3 300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏（HTGB，high temperature gate bias）试验；其次，针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明，在高压SiC MOSFET中，漏源反偏时栅氧的电热应力较大，在设计及使用时应尤为注意。