绝缘栅双极性晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）凭借其优异的载流和抗压能力，在牵引变流器中得到了广泛的应用。通过仿真研究了解其动态特性，对于保障其自身和系统的运行稳定性和可靠性具有重要意义。针对牵引变流器用大功率IGBT封装模块，在分析IGBT工作原理和特性的基础上，充分考虑其静态特性、动态特性以及封装寄生参数影响，结合寄生参数提取矩量法和IGBT动态模型等效电路分析法，建立了精确的IGBT封装电路模型，并通过仿真测试分析对模型进行了验证。此外，以牵引变流器中的整流器电路为例，依据IGBT封装精确电路，构建了更为详细的整流器精确电路模型。仿真结果表明，精确电路模型比理想电路仿真输出能够更加准确地突出系统的高频信息，这对于针对含有大功率IGBT器件系统开展损耗计算、电磁兼容性分析以及风险评估等极具参考价值。