本文提出了一种新型的三相电流型整流器拓扑结构，与传统的三相电流型整流器拓扑结构相比，显著降低了六桥臂上MOSFET的电压应力。在传统的拓扑结构中，续流二极管只有一个，调制方法采用空间矢量调制，并且续流期间某一相桥臂始终导通，以减少开关次数，但这会使三相桥臂上所有MOSFET的电压应力高于输入相电压峰值。利用所提出的拓扑和相应修改后的调制方案，开关器件仅需要承受低于输入相电压峰值的电压，从而大大降低了电压应力。仿真结果验证了改进后的拓扑结构和相关调制方案的有效性。