目前 SiC MOSFET功率模块的国际形势严峻，面对欧美日厂商技术封锁，国内正积极布局第三代半导体材料产业。本文对自主研发设计的 SiC MOSFET功率模块进行分析研究。为了精确估算高频工作状态下 SiC MOSFET的开关损耗及分析其开关特性，本文提出了一种基于 SiC MOSFET的开关瞬态解析模型，提取了开关过程的关键动态性能参数电流变化率(di/dt)和电压变化率(dv/dt)，通过理论分析，明确了 di/dt和 dv/dt对温度的依赖性。对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果，证明了所提分析模型的准确性。最后基于所提出的分析模型优化驱动电路，并将国产 SiC MOSFET功率模块应用在 3 kW的 LLC高频谐振型变换器实验电路中，改善了 LLC实验波形，减小了开关损耗。