近年来，宽禁带半导体功率器件发展迅猛。在高开关频率、高阻断电压和高温工作环境中，相比于传统硅材料，表现出杰出的性能。在本文中，以单端反激电源变换器为研究平台，研究硅基绝缘栅双极晶体管（IGW25N120H3）、超结温硅基晶体管（FCP16N60N）和碳化硅晶体管（C2M0080120D）性能的差异。结果表明，宽禁带半导体功率器件相对于硅基材料能更多地降低功率损耗，提高效率。尤其是降低导通损耗。