磁芯损耗是磁性元件分析及优化的重要部分，精确的磁芯损耗数据和模型对设计优化磁性元件尤为重要。 直流功率法以DC/AC逆变电路为主电路，可实现功率变换器中常见的PWM激励波形，该方法的原理图如图1所示[1-8]： 直流电压源通过DC/AC全桥逆变电路产生频率、占空比、幅值可调的PWM激励波形施加在被测磁性元件上。被测磁性元件的损耗通过输入功率减去DC/AC逆变电路的装置损耗获得。 DC/AC逆变电路的装置损耗可采用空心电感作为被测磁性元件获得，这一步骤被称为装置损耗定标。采用高精度的直流电压表和电流表降低直流输入功率的测量误差，磁元件损耗测量误差主要取决于装置损耗定标的测量误差。 文献[2]最先提出了基于直流功率法的装置损耗定标模型，通过分析DC/AC逆变电路欧姆损耗与MOSFET的开关损耗得到对称与不对称PWM波激励时的装置损耗表达式。该装置损耗模型形式简单，待定参数的个数较少，但在较宽的频率测量范围内会使其模型拟合的精度降低，文献[4]则通过分析DC/AC逆变电路中MOS管实现零电压导通时的电压、电流波形得到了不同时间段内的装置损耗表达式，最后推导出了不对称PWM波激励时的装置损耗定标模型。但当激励波形为对称PWM波时，此时预测的装置损耗会有较大的误差，且该模型中并未体现出占空比变化时对装置损耗所产生的影响。 为此，本文通过分析全桥逆变电路中MOS管分别工作在不同开关状态时的装置损耗，提出PWM波激励时的宽范围逆变装置损耗模型，为实现不同PWM波激励下，宽交流磁通密度、宽占空比、宽频率、宽直流偏置范围的磁芯损耗测量与建模奠定了基础。并且通过实验验证，发现本文提出的PWM波激励时的宽范围逆变装置损耗模型精度比两参数及八参数模型更高。