碳化硅(SiC)器件因其耐高温高压、开关速度快和导通电阻小等优点，广泛应用在新能源汽车和航空航天等领域。与硅(Si)器件相比，碳化硅(SiC)器件的栅极氧化层被设计得更薄，导致其更容易发生栅氧退化。本文从SiC MOSFET的开关动态过程入手，重点研究了栅氧退化对桥式电路串扰特性的影响。首先对桥臂串扰产生的原理进行了分析。然后，建立桥臂串扰产生时的等效电路模型，揭示了串扰电压的影响因素。最后，通过高温栅偏(HTGB)实验和双脉冲测试进行了验证。研究结果表明，随着栅极氧化物的降解，SiC MOSFET的结电容会发生变化，导致桥臂串扰电压尖峰降低，串扰现象减轻。