相比于传统硅基器件，氮化镓功率器件在高速高频开关应用场合具有更加突出的优势。然而，氮化镓器件的高速开关导致电路中存在高dv/dt和di/dt，由此引发的寄生振荡比应用传统硅器件的场合更加复杂，而氮化镓功率器件的开通阈值电压较低，驱动电压安全工作区较窄，栅源电压更容易超出安全容限从而引发性能退化、器件受损等不良后果。同时，氮化镓器件的高速开关致使无源电压探头测试特性对器件暂态电压测量结果的影响程度加深。为此，本文将考虑GaN HEMT功率器件特征及其桥臂电路高速开关下的特性，构建主动管驱动回路振荡分析模型，明确振荡成分及产生机理，明晰功率回路振荡对驱动回路的耦合影响因素，考察电压探头测试相关寄生参数对驱动回路振荡及测量结果的影响，并分析相关参数影响规律，针对GaN HEMT安全驱动设计给出初步建议。