随着新一代宽禁带半导体功率器件SiC-MOSFET的应用愈加广泛，它在在线运行时的可靠性也成为了业界关注的重点。超过50%的可靠性问题与结温有关，因此开展SiC-MOSFET的结温监测是对其进行可靠性研究的基础。本文以导通压降VDS(on)和开通漏极电流变化率dID/dt这两种温敏感电参数作为研究对象，对它们的性能进行对比与评估。首先，理论推导VDS(on)和dID/dt与结温的关系。其次，分析VDS(on)和dID/dt在测量方法上的难点，设计VDS(on)测量电路。然后，搭建双脉冲恒温标定平台，在不同电流和结温下对VDS(on)和dID/dt进行了标定。最后，从线性度、灵敏度、响应时间、耦合量四个方面综合对比评估了VDS(on)和dID/dt的结温监测性能。