SiC MOSFET在雪崩故障中发生失效时，芯片表面的烧毁面积通常占芯片总面积的比例很小，表明该过程会出现显著的热聚集现象。本文研究了SiC MOSFET发生雪崩击穿故障时出现热聚集现象的底层物理机理。运用Sentaurus TCAD有限元仿真软件，建立二维平面栅型SiC MOSFET元胞级有限元仿真模型，与UIS测试电路进行联合仿真，观察并分析SiC MOSFET在雪崩击穿故障中的行为，得到器件发生雪崩击穿故障时在元胞层面发生电流汇聚和热聚集现象的底层物理机理。并基于物理机理，对SiC MOSFET在雪崩故障中的芯片级热聚集机理进行分析，阐述不同芯片设计下芯片级热聚集现象的规律及其机理。