大功率模块通常采用芯片并联的形式以提高其载流能力，而由于碳化硅 MOSFET 的快速开关瞬态，芯片参数的差异和寄生电感的失配会导致并联芯片之间的电流分布和温度不均匀，继而导致个别芯片的老化加速，模块的整体可靠性降低。因此为了准确监测功率模块，有必要确定各个芯片的结温。温敏电参数法被认为是目前最有前景的一类结温测量方法，然而当其应用于并联芯片的功率模块时，大多温敏电参数只能测量模块的整体温度而不能测量各个芯片的结温，而且可能会受到芯片结温差异的影响。为了克服这些限制，本文提出了一种利用碳化硅 MOSFET 的准阈值电压 VTH-qua 进行结温测量的新方法，该方法可以在线测量并联芯片的结温。首先，提出了适用于并联芯片在线结温测量的准阈值电压法。其次，理论分析并实验验证了准阈值电压的温度依赖性以及应用于并联芯片结温测量的可行性。最后，通过基于降压变换器的结温在线监测实验验证了该方法的准确性与有效性。