并联碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电流分担特性对于多芯片并联 SiC 功率模块至关重要。然而，以往研究中的大部分均流方法都很复杂，且仅限于特定的布局设计，成本高昂，普适性较低。如今，集成分布式去耦电容器已成为提高功率模块性能的一种新方法。因此，本文揭示了在功率模块中集成分布式去耦电容器对分流机制的影响，在建立并联芯片等效寄生电感电路模型的基础上，获得了影响动态和静态并联均流的关键参数，并提出了改进的 SiC 功率模块布局方案。最后，本文通过仿真和实验验证了理论结论，结果表明，优化布局的电流不平衡度降低了 106.7%，模块整体关断电压峰值降低了 220 V。